Курсова робота

ІНФОРМАЦІЙНІ ТЕХНОЛОГІЇ СХЕМОТЕХНІЧНОГО ПРОЕКТУВАННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ЗАСОБІВ

МЕТА І ЗАДАЧІ КУРСОВОЇ РОБОТИ

Курсова робота з дисципліни " ІНФОРМАЦІЙНІ ТЕХНОЛОГІЇ СХЕМОТЕХНІЧНОГО ПРОЕКТУВАННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ЗАСОБІВ" є завершальним етапом її вивчення та має за мету закріпити знання в області моделювання електронних компонентів ЕКЗ (резисторів, конденсаторів, індуктивних елементів, трансформаторів, тощо), напівпровідникових приладів (діодів, варикапів, транзисторів, тиристорів, тощо), макромоделювання аналогових і цифрових електронних пристроїв (операційних підсилювачів, перемножувачів, підсилювачів ВЧ, логічних елементів, тригерів, регістрів підсумовувачів, та ін.), а також придбати практичний досвід у застосуванні методів аналізу стану ЕКЗ у статичному та динамічному режимах, у частотній області і по Фур’є та інших методів (методів оцінки чутливості і допустимих відхилень функціональних характеристик ЕКЗ, елементів їхньої оптимізації). При цьому проводиться розробка конструкторської реалізації аналогового чи цифрового заданого електронного модуля (ЗЕМ) з урахуванням впливу конструктивно-технологічних і експлуатаційних чинників, зокрема паразитних зв’язків на підложці ГІС та параметрів умов експлуатації (температури, вологи, тиску та ін.). Крім того, виконання курсової роботи також сприяє прищепленню практичних навиків по розв'язанню задач моделювання і аналізу функціональних характеристик ЕКЗ з застосуванням схемотехнічної САПР (СхСАПР).

При виконанні курсової роботи усі основні розрахунки проводяться на ПЕОМ з використанням алгоритмічних мов та спеціальних програмних оболонок.

У відповідності до освітньо-кваліфікаційних характеристик спеціалістів за фахом 7.080402 у результаті виконання даної курсової роботи студент повинен з н а т и:

- методику формування моделей пасивних компонентів ЕКЗ для СхСАПР (резисторів, конденсаторів, індуктивних елементів, транформаторів та ін.) і моделей напівпровідникових приладів ЕКЗ (діодів, варикапів, транзисторів, тиристорів та ін.);

- методику формування макромоделей аналогових пристроїв ЕКЗ для СхСАПР (операційних підсилювачів, перемножувачів, підсилювачів ВЧ та ін.) і макромоделей цифрових пристроїв ЕКЗ (логічних елементів, тригерів, підсумовувачів та ін.);

- методику проведення аналізу функціональних властивостей ЕКЗ в статичному режимі і у часовій області у середовищі СхСАПР;

- методику проведення аналізу функціональних властивостей ЕКЗ в частотній області у середовищі СхСАПР;

- основні етапи і методику конструкторської реалізації електронних модулей ЕКЗ у формі ГІС;

- основні етапи і методику аналізу впливу конструктивно-технологічних і експлуатаційних параметрів на функціональні властивості електронного модуля ЕКЗ у формі ГІС;

- основні вимоги, що пред'являються до виконання текстової та графічної документації для електронного модуля ЕКЗ у формі ГІС;

в м і т и:

- формувати моделі пасивних компонентів ЕКЗ для СхСАПР (резисторів, конденсаторів, індуктивних елементів, транформаторів та ін.) і моделі напівпровідникових приладів ЕКЗ (діодів, варикапів, транзисторів, тиристорів та ін.);

- формувати макромоделі аналогових пристроїв ЕКЗ для СхСАПР (операційних підсилювачів, перемножувачів, підсилювачів ВЧ та ін.) і макромоделі цифрових пристроїв ЕКЗ (логічних елементів, тригерів, підсумовувачів та ін.);

- проводити аналіз функціональних властивостей ЕКЗ в статичному режимі і у часовій області у середовищі СхСАПР;

- проводити аналізу функціональних властивостей ЕКЗ в частотній області у середовищі СхСАПР;

- розробляти конструкторську реалізацію електронних модулів ЕКЗ у формі ГІС;

- проводити аналіз впливу конструктивно-технологічних і експлуатаційних параметрів на функціональні властивості електронного модуля ЕКЗ у формі ГІС;

- виконувати текстову та графічну документацію електронного модуля ЕКЗ у формі ГІС.