СОДЕРЖАНИЕ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Определение теплового тока I_эо и m_э осуществляется путем снятия зависимости I_э(U_бэ) (рис.1).

Рис. 1. Зависимость теплового тока I_эо и m_э в полулогарифмическом масштабе

Измерение β_N(α_N) осуществляется при U_k6 = 0 (рис. 2).

Рис. 2. Схема измерения β_N(α_N) биполярного транзистора

Аналогично, в инверсном режиме измеряются параметры I_ко, m_к и β_R.

Определение сопротивлений r_э, r_б и r_к осуществляется в измерительной схеме рис. 2.

Рис. 2. Схема определения сопротивлений r_э, r_б и r_к биполярного транзистора

β_N = I_э - I_б / I_б; α_F = β_F / 1 + β_F;

1. При разомкнутом ключе К снимается зависимость I_э = f(U_кэ), имеющая вид, показанный на рис. 3.

Рис. 3. Зависимость I_э = f(U_кэ)

2. Сопротивление r_к определяется аналогичным образом при инверсном включении транзистора и разомкнутом ключе К.

3. Для определения r_б в измерительной установке определяется значения напряжения U_бэ при замкнутом ключе К U_бэ = U_бэ1 и разомкнутом ключе К (U_бэ = U_бэ2) и при одинаковых значениях тока I_э:

U_бэ1 = U_э + r_бI_б + r_эI_э, U_бэ2 = U_э + I_э(r_б + r_э)

U_э - напряжение на переходе Эмиттер - База. Так как r_б >> r_э, то I_э(r_б + r_э) >> r_бI_б + r_эI_э, откуда:

r_б = (U_бэ2 - U_бэ1)/I_э

Для определения параметра τ_f измеряется граничная частота усиления тока f_r как функция тока I_к. Аналитически эта связь определяется как:

Экстраполяция зависимости при 1/I_к -> 0 позволяет при известных r_к и С_кб определить τ_f (рис. 4).

Рис. 4. Экстраполяция зависимости τ_f биполярного транзистора

Параметр τ_R определяется по результатам измерения постоянной рассасывания транзистора τ_бн (рис. 5):

Рис. 5. Зависимость определения τ_R по результата постоянной рассасывания

Измеряем t_pacc с использованием временных диаграмм, далее определяем:

Далее вычисляется: