МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЗИСТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ
1.
Измерение параметров модели высокоомного резистора
1.1.
Включить измеритель добротности
ВМ 560 (Q - метр).
1.2.
Привести прибор в режим измерения добротности, установить переключатель
Q-∆Q в положение.
1.3.
Установить переключатель
ЧАСТОТА на поддиапазон IV ручкой
ЧАСТОТА установить частоту
f = 325 кГц.
1.4.
Провести калибровку прибора, для чего: нажать кнопку
КАЛИБРОВКА Q ∆ установить ручкой
КАЛИБРОВКА Q ∆ стрелку прибора точно на риску под знаком
∆ опустить кнопку
КАЛИБРОВКА Q ∆.
1.5.
Установить переключатель на плате резисторов в положение
"0" (подключена эталонная индуктивность).
1.6.
Изменением ёмкости
Q - метра добиться резонанса по максимальному отклонению стрелки.
Записать значения
Q1 и С1.
1.7.
Подключить исследуемый высокоомный резистор, установив переключатель на плате резисторов в соответствующее положение (по указанию преподавателя).
1.8.
Изменением ёмкости
Q - метра повторно добиться резонанса.
Записать значения Q1 и
С1.
1.8.
По формуле (1.7) методических указаний рассчитать параметры резистора
RR и CR.
1.10.
Задайте значение паразитной индуктивности резистора, учитывая, что
LR = 0,1...1 нГн.
2.
Измерение параметров модели терморезисторов
2.1.
Подключить исследуемый
терморезистор, установив переключатель
S2 в положение, указанное преподавателем.
2.2.
Измерить
омметром значение эталонного резистора
Rэ (Рис.
1.2) (при выключенном питании).
2.3.
Включить питание стенда.
2.4.
Для различных значений напряжения источника питания Ui (і = 1 ,М, М -
количество измерений, М=6...8), через некоторый интервал времени, необходимый для саморазогрева исследуемого резистора под действием протекающего
тока, измерить значения
U1i и
U2i.
2.5.
По формулам (1.8) методических указаний рассчитать параметры
IRti и
RRti.
2.6.
Построить зависимость RRti =
FR(IRti).
2.7.
Полученные экспериментальные данные оформить в виде таблицы:
| № |
| |
|
|
| п/п |
U1, В |
U2, В |
RRt, А |
RRt,Ом |
2.8.
Включить термостат, ждать установления температуры
Т1 = ЗЗЗ 0К 10-15 мин.
2.9.
Для малых значений тока, исключающих самонагрев терморезистора, определить значение
RRt аналогично п.п.
2.4, 2.5.
2.10.
Рассчитать коэффициент
А, если исследовался позистор (1.10) или коэффициент
В (1.9), если исследовался термистор.
3.
Измерение параметров модели варистора
3.1.
Подключить исследуемый
варистор, установив переключатель
S4 в положение , указанное преподавателем.
3.2.
Измерить омметром значение эталонного резистора
Rэ (при выключенном источнике питания).
3.3.
Для двух значений напряжения источника питания измерить напряжения
URU1 и URU2.
Аналогично формуле (1.8)
рассчитать значения IRU1 и IRU2.
3.4.
По формуле (1.9) рассчитать коэффициенты
В и С.
4.
Определение характеристик схем с
использованием терморезисторов и варисторов
4.1.
Установить переключатель
S2 в положение сказанное преподавателем.
4.2.
Включить источник постоянного тока (тумблер
S1).
Измерить напряжение Е1 (Рис.
1.3).
4.3.
В разрыв цепи питания включить амперметр.
Измерить значение тока
I в цепи.
4.4.
Установив перемычку, измерить напряжение
U (Рис.
1.3).
4.5. Повторить п.п.4.3-4.4 для других значений сопротивления
R.
Значение R измерять омметром при выключенном питании.
4.6.
Построить зависимости
I = F1(R).
4.7.
Аналогичные измерения провести для схемы (Рис.
1.4) с использованием варистора (п.п.4.1-4.5), предварительно измерив значение сопротивления
RЯ1 (Рис.
1.4).
4.8.
Построить зависимость
U = FU(R).
4.9.
После проведения расчетов схем на
ЭВМ сравнить полученные экспериментальные и расчетные зависимости.
5.
Порядок выполнения работы на ЭВМ
5.1.
Перед началом работы на ЭВМ внимательно изучить материалы раздела «Программное обеспечение к лабораторным работам на ЭВМ» методических указаний, относящиеся к данной
лабораторной работе.
5.2.
Подготовить следующие исходные данные:
- значения параметров модели резистора
RR, СR, LR;
- границы частотного диапазона
fmin,
fmax, (fmin
= 102 Гц,
fmax = 109 Гц).
- значения параметров модели термистора RT,
В, Т0 или
позистора
RP, А, Т0;
- задать количество N температур Тi,
i = 1,
N для получения на ЭВМ расчетной зависимости RT =
F(Т) или RP =
F(Т);
- значения параметров модели варистора В и
С;
- значения экспериментальной зависимости
RT = FI(I);
- значения сопротивления
R схемы (Рис.
1.3) устанавливаемые при выполнении п.4.5, значение напряжения источника питания
ЕI;
- значения сопротивления R1, напряжения питания
Е2, для расчета схемы (Рис.2.4).
Значения сопротивления
R схемы (Рис.
1.4) устанавливаемые при измерениях по
п.4.5.
5.3 При невозможности получить распечатку результатов работы программы, переписывать результаты работы программы в протокол по мере их появления на экране
монитора.
|