Додаток А

А.1. АНАЛІЗ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ЗЕМ НА БАЗІ СхСАПР

А.1.1. Характеристики і умови експлуатації ЗЕМ та його функціональні властивості у статичному режимі

А.1.2. Аналіз функціональних властивостей ЗЕМ у часовій та частотній областях

А.2. ПРОЕКТУВАННЯ КОНСТРУКТОРСЬКОЇ РЕАЛІЗАЦІЇ ЗЕМ У ФОРМІ ГІС

А.2.1. Проектування плівкових елементів і конструкції ГІС

Процес конструкторської реалізації ЗЕМ насамперед потребує обґрунтованого вибору варіанта тонко/товстоплівкової ГІС з відповідним його узгодженням з керівником курсової роботи. Далі треба провести розрахунки параметрів плівкових резисторів, конденсаторів та індуктивних елементів (Рис. А2.1), розглянувши у даному підрозділі методику цих розрахунків та її програмну реалізацію.

Для тонкоплівкового варіанта резистора бажано використовувати прямокутну форму (Рис. 2А.1, а) з коефіцієнтом форми К_ф [1, 10]. При цьому, враховуючи типові значення питомого поверхневого опору = 10...10000 Ом/ , можна реалізувати резистори з опором від 10 Ом до 100 кОм.

а) б) в)

Рисунок 2А.1

В інших випадках слід застосовувати паралельне чи послідовне включення резисторів, або форму типу «меандр» чи навісний їх варіант виконання. Якщо у схемі ЗЕМ має місце широкий діапазон номіналів плівкових резисторів, то виникає потреба у використанні декількох резистивних матеріалів з різними r_s (табл.Б.1).

Так для тонкоплівкових резисторів маємо слідуючи конструктивні параметри:

l = K_ф b, l_повн = l + 2e, S = l_повн b (А2.1)

У виразах (А2.1) необхідно враховувати наступні умови:

(А2.2)

Співвідношення (А2.2) включають такі позначення: l_точн, b_точн - довжина і ширина резистора обмежені точністю виготовлення; l_p, b_p - довжина і ширина резистора обмежені його потужністю; l_техн, b_техн - довжина і ширина резистора обмежені можливостями технологічного процесу; P - потужність, яку розсіює резистор; Р₀ - питома потужність розсіяння резистивного матеріалу з - відносна погрішність резистора, питомого опору резистивного матеріалу, старіння резистора, температурного впливу та опору контактів резистора; а_К - температурний коефіцієнт резистивного матеріалу; t_mах - максимальна температура експлуатації; е - величина перекриття резистору і контактних площадок (Рис.2 А.1,а).