СОДЕРЖАНИЕ

ИСПЫТАНИЕ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Убедиться в исправности мощного транзистора проще всего путем включения его в схему, приведенную на рис. 1.

Рис. 1. Схема устройства для испытания мощных транзисторов

Процесс испытания полупроводникового триода структуры р-n-р заключается в следующем.

Устанавливают на столе компас и рядом с ним спичечную коробку с обмоткой так, чтобы ось последней была перпендикулярна стрелке компаса. В непосредственной близости от компаса не рекомендуется размещать измерительные приборы и другие устройства, содержащие постоянные магниты. Затем присоединяют испытываемый транзистор к точкам Б, К, Э схемы и источник питания к гнездам « +» и «—».

Если транзистор исправен, то при выбранных сопротивлениях резисторов R₁, R₂, R₃ ток коллектора мал (равен 25-40 мА) и поэтому стрелка компаса отклоняется всего лишь на половину деления. Убедившись в незначительности коллекторного тока, соединяют накоротко выводы высокоомного резистора (R₃).

Вследствие уменьшения сопротивления в цепи базы и связанного с этим повышения напряжения между эмиттером и базой ток коллектора исправного транзистора резко увеличивается, и стрелка компаса (при (U₀ ~ 4,7 В) отклоняется на несколько делений.

В случае, если компас не реагирует на замыкание выводов резистора R₃, соединяют накоротко резистор R₂. Если и эта мера не дает положительных результатов, то транзистор считают неисправным. Бракуют транзистор и в тех случаях, когда стрелка компаса отклоняется на несколько делений до замыкания выводов резистора R₃, так как это свидетельствует о пробое промежутка эмиттер-коллектор.

Регистрировать изменения тока коллектора при уменьшении сопротивления цепи базы можно также с помощью тестера, включенного миллиамперметром, миниатюрной лампочки накаливания (6,3 В; 0,22 А или 3,5 В; 0,28 А), инжекционного (светового) диода или другого индикатора.

При испытании транзисторов структуры n-р-n выводы источника питания, миллиамперметра и светодиода (если он используется) меняют местами.