МЕТОДИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Просмотров

Free Web Counters

 
 

Конспект лекций

СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ

ЦЕПЬ СМЕЩЕНИЯ А

Основные характеристики цепи смещения А представлены на рис. 1 и кратко описаны далее. Ее выходное полное сопротивление равно приблизительно RL (на частотах вплоть до 100 кГц).

Схема цепи смещения А транзистора

Рис 1. Цепь смещения А транзистора

Выходное полное сопротивление Rн; входное полное сопротивление RE X β; коэффициент усиления по току ~ β; коэффициент усиления по напряжению Rн/RE; напряжение коллектора (1/2) UCC, Rн > 5RE, Rн ≈ 10RE.

Входное полное сопротивление приблизительно β раз превышает значение сопротивления RE (на частотах «плоть до 100 кГц). Поскольку входное полное сопротивление зависит от параметра β, оно изменяется в широких пределах. Коэффициент усиления схемы по току приблизительно равен параметру β транзистора на переменном токе, а коэффициент усиления по напряжению приблизительно равен отношению сопротивлений Rн/RE. Цепь смещения А обеспечивает широкий диапазон возможных коэффициентов передачи по напряжению, но обладает наименьшей стабильностью из всех испей смещения.

Исходя из требуемых напряжения и тока коллектора определяется значение сопротивления либо оно задается для обеспечения необходимого выходного полною сопротивления, как было описано в разд. 1.1.2. Значение сопротивления выбирается на основе компромисса между стабильностью и коэффициентом усиления.

Типовые передаточные характеристики транзистора

Типовые передаточные характеристики транзистора Типовые передаточные характеристики транзистора

Рис 2. Типовые передаточные характеристики

Увеличение значения сопротивления Не относительно сопротивления повышает стабильность, но снижает коэффициент усилений. Значение сопротивления RB выбирается исходя из обеспечения требуемого тока базы в рабочей точке. Для кремниевого n—р—n - транзистора можно полагать, что напряжение базы будет приблизительно на 0,5 В более положительно, чем на эмиттере. Напряжение на базе кремниевого р—n—р - транзистора приблизительно на 0,5 В более отрицательно по отношению к эмиттеру. Для германиевых транзисторов разность этих напряжений в рабочей точке составляет около 0,2 В.

В некоторых справочных материалах по транзисторам приводятся зависимости тока коллектора от заданного тока базы или от заданного напряжения база — эмиттер. Если подобная информация присутствует в справочных материалах, то она приводится в виде кривых, аналогичных изображенным на рис. 2. Эти кривые, как правило, называются передаточными характеристическими кривыми и дают возможность более точно рассчитывать значение сопротивления Rв. Однако на практике это расчетное значение сопротивления Rв является только ориентировочным.