СОДЕРЖАНИЕ

РАЗНОВИДНОСТЬ МОДЕЛИ ЭБЕРСА-МОЛЛА, ИСПОЛЬЗУЕМАЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ В ПРОГРАММАХ DESIGN LAB, ORCAD И MICROCAP

Рис. 1.35А. Модифицированная модель Эберса-Молла биполярного транзистора

Уравнения для статического режима (на постоянном токе)

Уравнения для паразитных емкостей. Суммарная паразитная емкость эмиттерного и коллекторных переходов:

С_бэS = t_f • G_бэ + С_jбэ (U_бэ) С_бкS = t_r • G_бк + С_jбкэ (U_бк),

где t_f, t_r — forward transit time, reverse transit time (прямое и обратное время пролета). Величины, характеризующие инерционные процессы накопления носителей при прямом смещении на переходе база - эмиттер и база - коллектор соответственно.

— проводимости переходов база-эмиттер и база-коллектор на постоянном токе при прямом смещении на соответствующем переходе.

С_jбэ (U_бэ), С_jбk (U_бk) — барьерные емкости переходов база-эмиттер и база-коллектор, имеют сложную зависимость от напряжения на соответствующих переходах U_бэ, U_бк.

При прямом и обратном смещениях на переходах вычисляется по разным формулам:

V_бe(c) ≤ FC V_JE(C)

, при

V_бe(c) > FC V_JE(C)