МЕТОДИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Просмотров

Free Web Counters

 
 

Конспект лекций

СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ

РАЗНОВИДНОСТЬ МОДЕЛИ ЭБЕРСА-МОЛЛА, ИСПОЛЬЗУЕМАЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ В ПРОГРАММАХ DESIGN LAB, ORCAD И MICROCAP

Рис. 1.35А. Модифицированная модель Эберса-Молла биполярного транзистора

Уравнения для статического режима (на постоянном токе)

Уравнения для паразитных емкостей. Суммарная паразитная емкость эмиттерного и коллекторных переходов:

СбэS = tf • Gбэ + Сjбэ (Uбэ)     СбкS = tr • Gбк + Сjбкэ (Uбк),

где tf, tr — forward transit time, reverse transit time (прямое и обратное время пролета). Величины, характеризующие инерционные процессы накопления носителей при прямом смещении на переходе б-э и б-к соответственно.

— проводимости переходов база-эмиттер и база-коллектор на постоянном токе при прямом смещении на соответствующем переходе.

Сjбэ (Uбэ),   Сjбk (Uбk) — барьерные емкости переходов база-эмиттер и база-коллектор, имеют сложную зависимость от напряжения на соответствующих переходах Uбэ, Uбк.

При прямом и обратном смещениях на переходах вычисляется по разным формулам:

Vбe(c) FC  VJE(C)

, при

Vбe(c) > FC  VJE(C)