СОДЕРЖАНИЕ

МАЛОСИГНАЛЬНАЯ ДИНАМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Для активного нормального режима малого сигнала широко используется простая модификация модели Эберса-Молла, которая может быть получена из основной модели при учете:

а) прямого смещения эмиттерного перехода U_бэ > 0;

б) большого отрицательного смещения на коллекторном переходе U_бк < 0;

в) малого изменения напряжений и токов относительного рабочей точки по постоянному току. Рассмотрим для этого случая уравнения Эберса-Молла:

Выразим ток коллектора I_к через ток эмиттера I_э :

Для малых приращений (режим малого сигнала):

Таким образом, малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора в нормальном активном режиме выглядит следующим образом (рис. 1.44).

Рис. 1.44. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора в нормальном активном режиме

Отметим, что в большинстве режимов можно пренебречь r_э, r_к и R_кy (r_эдиф >> r_э, R_ку >> r_кдиф, r_кдиф >> r_к), а диффузионная емкость эмиттерного перехода С_дэ учитывается частотно-зависимым коэффициентом передачи тока эмиттера

С учетом сказанного малосигнальная инерционная схема замещения биполярного транзистора преобразуется к виду рис. 1.45.

Рис. 1.45. Малосигнальная инерционная схема замещения биполярного транзистора

Учитывая, что ток эмиттера равен сумме коллекторного и базового токов, схему рис. 1.45. можно преобразовать к виду рис. 1.46.

Рис. 1.46. Малосигнальная инерционная схема замещения биполярного транзистора

Для этого необходимо использовать следующие тривиальные преобразования:

или

где: