МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЕМКОСТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

1. Определение параметров модели конденсатора

1.1. Включить измеритель добротности ВМ 560.

1.2. Привести прибор в режим измерения добротности, установить переключатель Q - ∆ Q в положение Q.

1.3. Установить переключатель ЧАСТОТА на поддиапазон IV и ручкой ЧАСТОТА установить частоту f = 70 кГц.

1.4. Провести калибровку прибора, для чего: нажать кнопку КАЛИБРОВКА Q ∆; установить ручкой КАЛИБРОВКА Q ∆ стрелку прибора точно на риску под знаком τ; опустить кнопку КАЛИБРОВКА Q ∆.

1.5. Установить переключатель на плате конденсаторов в положение "0" (подключена эталонная индуктивность).

1.6. Изменением ёмкости Q-метра добиться резонанса по максимальному отклонению стрелки. Записать значение С₁.

1.7. Подключить исследуемый конденсатор, установив переключатель на плате конденсаторов в соответствующее положение, (по указанию преподавателя).

1.8. Изменением ёмкости Q-метра повторно добиться резонанса (С₂).

1.9. По формуле (2.4) методических указаний рассчитать собственные индуктивность L_c и емкость С_с конденсатора.

1.10. Значение сопротивления R_c выбирать из диапазона R_c =5...200 Ом. Значение R_и назначить по паспортному значению сопротивления изоляции конденсатора. (R_и = 10 Мом, R_c = 100 Ом).

2. Определение параметров модели варикапов

2.1. Подключить переключателем S2 цепь с исследуемым варикапом, (по указанию преподавателя): 1-KB 105А; 2-КВ106Б; 3-Д902; 4-КВС111.

2.2. Измерить омметром значение эталонного резистора R_э (R_э = 2 МОм).

2.3. Включить питание стенда.

2.4. Получить зависимость емкости варикапа от приложенного напряжения источника питания C_vi = f_v (U_li).

2.5. По соответствующей формуле из методических указаний рассчитать параметр модели R_vi.

2.6. Полученные экспериментальные данные оформить в виде таблицы.

3. Измерение характеристик схем с использованием варикапов

3.1. Подключить исследуемую схему переключателем S2.

3.2. Для различных значений напряжения источника питания U_пит найти значение резонансной частоты f_oi контура L С_э C_v посредством изменения частоты генератора синусоидальных сигналов (ГСС) и фиксирования максимума амплитуды синусоидального напряжения в контуре (рис.2.3). Записать значения f_oi и напряжения на варикапе U_i.

3.3. Полученные экспериментальные данные представить характеристикой f_oi = F(U_i).

4. Порядок выполнения работы на ЭВМ

4.1. Перед началом работы на ЭВМ внимательно изучить материалы раздела «Программное обеспечение к лабораторным работам на ЭВМ» методических указаний, относящиеся к данной лабораторной работе (с.21-24, 27-29).

4.2. Подготовить следующие исходные данные:

- значения параметров модели конденсатора R_c, С_с, L_c, R_h;

- ФЧХ конденсатора (примерно f_min = 10² Гц, f_max=10⁹ Гц);

- значения U_2i, C_vi, i = 1,М экспериментальной зависимости C_vi = f_i(U_2i) значения параметров С_э и L на рис.2.3 (С_э = 2400 пФ; L = 3,4•10^-4 Гн);

- значения f_oi, U_i, і = 1,К зависимости f_oi = F(U_i).

4.3. При невозможности получить распечатку результатов работы программы (например , при отсутствии бумаги), переписывать результаты работы программы в протокол по мере их появления на экране дисплея.