О.В. Задерейко, Л.І. Панов, О.В. Циганов

КОНСТРУЮВАННЯ І ТЕХНОЛОГІЯ РАДІОЕЛЕКТРОННОЇ АПАРАТУРИ

Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів

ЗMICT

2.5.4. Розробка топологічного креслення МЗБ

Топологічним називають креслення, що визначає взаємне розташування всіх елементів МЗБ і їхнє з'єднання на платі (підкладці) відповідно до електричної принципової схеми з урахуванням технології виготовлення. Як правило, топологічні креслення виконують на декількох аркушах: на першому зображується підкладка з усіма нанесеними на неї шарами (елементи, з'єднання, контактні площинки тощо), на наступних дається зображення окремих шарів. За топологічними кресленнями виготовляються маски чи фотошаблони для формування тонкоплівкових елементів.

На першому аркуші вказують позиційні позначення елементів МЗБ відповідно до електричної принципової схеми і номерів контактних площадок. Нумерація зовнішніх контактних площадок починається з лівого нижнього кута підкладки в напрямку проти годинникової стрілки.

Внутрішні контактні площинки нумерують наступними порядковими номерами зверху вниз у напрямку зліва направо. На кресленні поміщають таблицю, що відображає послідовність формування шарів МЗБ і характеристики використаних матеріалів, таблиці з електричними характеристиками і даними для виготовлення окремих шарів. Розміри таблиць довільні, допускається введення в таблицю додаткових граф. На топологічних кресленнях поміщають технічні вимоги на виготовлення плати МЗБ. Приклад схематизованого (без дотримання масштабу) топологічного креслення МЗБ транзисторного підсилювача наведений на Рис. 2.2, в, послідовність формування шарів МЗБ представлена в табл. 2.5: резистори, провідники і контактні площадки, нижні обкладки конденсаторів, діелектрик конденсаторів, верхні обкладки конденсаторів, захисний шар діелектрика.

Для поліпшення адгезії під тонкоплівкові провідники, контактні площадки, нижні обкладки із золота (Зл.999.9 ГОСТ 6.835-72), міді (МБ ТУ 11ЯеО.021.040-72), алюмінію (А99 ГОСТ 11069-74) наноситься підшар із хрому (ЕРХ ЧМТУ 4-30-70), ніхрому (Х2ОСН80 ГОСТ 12766-67) чи ванадію (ТУ 48-05-53-71) товщиною 200. 500 А⁰. Для технологічного захисту нанесених на підкладку шарів застосовують двоокис кремнію (ГОСТ 6880-73), фоторезист негативний (ФН-11 ТУ 6-14-631-71), поліамідні лаки. Зазначені матеріали використовуються також для міжшарової ізоляції.

Розміри елементів і їх розташування на пошарових топологічних кресленнях задають координатами положення вершин усіх елементів, занесених у таблицю розмірів шарів. Нумерацію вершин у межах кожного елемента починають із крайньої лівої нижньої вершини, що має найменше значення координати X, і продовжують за годинниковою стрілкою. Нумерацію вершин елементів у межах шарів - з нижнього лівого елемента з переходом до наступного ближнього за напрямком знизу нагору і зліва направо. При великому числі елементів у шарі їм може бути привласнене літерне позначення.

Таблиця 2.5.

Топологія МЗБ зображується в масштабі 10:1 чи 20:1 у координатній сітці. Крок координатної сітки дорівнює 0,1 мм, допускається застосування кроку 0,05 і 0,01 мм. Зображення ліній координатої сітки на топологічному кресленні може бути замінено позначенням номера ліній сітки (0, 1,

2,... чи 0, 5, 10,... ). Нумерацію ліній починають від лівого нижнього кута підкладки. При розробці топологічного креслення враховуються конструкторсько-технологічні обмеження, характерні для обраного методу формування конфігурації елементів [5, 7]. Більш докладно правила оформлення топологічного креслення і зміст технічних вимог викладені в [6].