Конспект лекций

СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ

 ДИНАМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ МАЛОГО СИГНАЛА

Для анализа на малом сигнале применяется схема замещения рис. 1.50.

 

Обычно при работе в усилительном режиме точка покоя находится на пологом участке выходной ВАХ при нормальном включении транзистора (аналогично активной нормальной области БТ).

В области низких частот модель описывается всего двумя параметрами — крутизной S и выходным сопротивлением rcu

Динамическая модель полевого транзистора для малого сигнала

Рис. 1.50. Динамическая модель полевого транзистора для малого сигнала

Эти параметры легко определяются по выходной ВАХ транзистора.