МЕТОДИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Просмотров

Free Web Counters

Конспект лекций

СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Определение теплового тока Iэо и mэ осуществляется путем снятия зависимости Iэ(Uбэ) (рис.1).

Зависимость теплового тока Iэо и mэ в полулогарифмическом масштабе

Рис. 1. Зависимость теплового тока Iэо и mэ в полулогарифмическом масштабе

Измерение βN(αN) осуществляется при Uk6 = 0 (рис. 2).

Схема  измерения βN(αN)  биполярного транзистора

Рис. 2. Схема  измерения βN(αN)  биполярного транзистора

Аналогично, в инверсном режиме измеряются параметры Iко, mк и  βR.

Определение сопротивлений rэ, rб и rк осуществляется в измерительной схеме рис. 2.

Схема определения сопротивлений rэ, rб и rк биполярного транзистора

Рис. 2. Схема определения сопротивлений rэ, rб и rк биполярного транзистора

βN = Iэ - Iб / Iб;   αF = βF / 1 + βF;

1. При разомкнутом ключе К снимается зависимость Iэ = f(Uкэ), имеющая вид, показанный на рис. 3.

Зависимость Iэ = f(Uкэ) биполярного транзистора

Рис. 3. Зависимость Iэ = f(Uкэ)

2. Сопротивление rк определяется аналогичным образом при инверсном включении транзистора и разомкнутом ключе К.

3. Для определения rб в измерительной установке определяется значения напряжения Uбэ при замкнутом ключе К Uбэ = Uбэ1 и разомкнутом ключе К (Uбэ = Uбэ2) и при одинаковых значениях тока Iэ:

Uбэ1 = Uэ + rбIб + rэIэ,   Uбэ2 = Uэ + Iэ(rб + rэ)

Uэ - напряжение на переходе Эмиттер - База. Так как rб >> rэ, то Iэ(rб + rэ) >> rбIб + rэIэ, откуда:

rб = (Uбэ2 - Uбэ1)/Iэ

Для определения параметра τf измеряется граничная частота усиления тока fr как функция тока Iк. Аналитически эта связь определяется как:

Экстраполяция зависимости при 1/Iк -> 0 позволяет при известных rк и Скб определить τf (рис. 4).

Экстраполяция зависимости τf биполярного транзистора

Рис. 4. Экстраполяция зависимости τf биполярного транзистора

Параметр τR определяется по результатам измерения постоянной рассасывания транзистора τбн (рис. 5):

Рис. 5. Зависимость определения τR по результата постоянной рассасывания.

Измеряем tpacc с использованием временных диаграмм, далее определяем:

Далее вычисляется:

Выражение для вычисления параметра τR