МЕТОДИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Просмотров

Free Web Counters

Конспект лекций

СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Модели полупроводниковых приборов, как правило, нелинейные, можно сформировать двумя способами.

При первом (физическом) способе проводят анализ электрических процессов, происходящих в структуре полупроводникового прибора, выражают токи и напряжения на электродах прибора в соответствии с процессами, происходящими в нем, что, собственно, и дает ВАХ прибора. Полученную модель представляют базовыми моделями резисторов, индуктивностей и емкостей, зависимыми и независимыми источниками тока и напряжения, добавив реактивные компоненты, соответствующие свойствам конструктивного оформления прибора, получают полную модель, причем в нее входят параметры структуры прибора и его корпуса.

При втором подходе используется ВАХ прибора, которая известна или снята экспериментально. ВАХ аппроксимируется с заданной точностью на том участке, на котором предполагается работа прибора. При этом модель будет содержать некоторые эмпирические коэффициенты, не связанные с реальной физической структурой прибора. При втором подходе за основу может быть принята также некоторая графическая модель.

ВАХ полупроводникового диода использует решение уравнения непрерывности, которое связывает концентрацию носителей заряда в любой точке полупроводника с параметрами электрического поля в полупроводнике, скоростью генерации и рекомбинации носителей заряда, диффузией носителей и временем. При этом, с учетом некоторых допущений (нулевая ширина p-n-перехода, отсутствие омического сопротивления базовой области перехода, отсутствие явлений пробоя перехода и поверхностных состояний), ВАХ перехода имеет вид:

I = I0 • (eU/ΨТ - 1)  здесь I = q • S (Dppn0/Lp + Dnpp0/Ln)

Где q – заряд электрона, S – площадь p-n-перехода, pn0, np0 – концентрации неосновных носителей в областях n и p, соответственно; Dp, Dn – коэффициенты диффузии дырок и электронов. Электрическое обозначение диода на принципиальной схеме имеет вид: Электрическое обозначение диода на принципиальной схеме

Статическая характеристика диода, соответствующая приведенному выражению, изображена на Рис. 1.

Статическая характеристика диода

Рис. 1. Статическая характеристика диода

Последнее выражение и характеристика есть статическая характеристика (модель) p-n-перехода. Точность модели относительно невысока, что определяется принятыми допущениями. Реальная ВАХ отличается от идеальной наличием участка рекомбинационной составляющей прямого тока, термогенерационной составляющей обратного тока, токами утечки, явлениями пробоя на обратной ветви ВАХ, наконец, наличием сопротивления базовой области p-n-перехода и емкостями p-n-перехода, характеризующими инерционность процессов в приборе.

Вольтамперную характеристику реального диода с учетом указанных характерных особенностей можно представить в виде Рис.2, а модель диода на основе такой аппроксимации в виде Рис.3:

Вольтамперная характеристика реального диода Модель диода на основе вольтамперной характеристики реального диода

Рис 2. Вольтамперная характеристика реального диода

Рис. 3. Модель диода на основе вольтамперной характеристики реального диода

В указанной модели in(Un) – нелинейный источник тока, описывающий статический режим прибора в виде:

In(Un) – нелинейный источник тока, описывающий статический режим прибора

В последнем выражении I0 – по-прежнему, тепловой ток прибора, rб – сопротивление базовой области перехода, m - коэффициент, учитывающий реальную конфигурацию перехода, Uпр – напряжение лавинного или туннельного пробоя перехода, А, В – коэффициенты аппроксимации ВАХ вблизи участка пробоя, причем A<0, B>0; RУ – сопротивление утечки р-n-перехода. Необходимо отметить, что многие величины, входящие в модель – нелинейные. Сопротивление базы rб, например, уменьшается с ростом тока через диод вследствие эффекта модуляции сопротивления, связанного с количеством носителей заряда в базовой области. Зависимость rб(i) можно представить в виде:

rб = 1/k1 + k2i,

где K1, K2 – некоторые коэффициенты, о величине которых речь пойдет ниже.

Емкостные составляющие модели – барьерная и диффузионная емкость p-n -перехода. Барьерная: емкость Сб – нелинейная емкость, обусловленная наличием объемного заряда неподвижных ионов донорной и акцепторной примеси вблизи границ области объемного наряда. Нелинейная величина, зависящая от напряжения на переходе в соответствии с выражением:

Cб = Сбо (1 + n  • ΔΨ0/ΔΨ0 - UП)

Здесь Cбo - величина барьерной емкости при Uп=0, Афо - контактная разность потенциалов, равная 0,5 - 1В для полупроводников различных типов, n - показатель степени, равный 1/2 для резких переходов и 1/3 для плавных. Формула точно отражает поведение барьерной емкости при обратном смещении (Un<0) и может дать большие погрешности при Un>0, т.к. в области больших токов диода, когда Un~φo, Сб—>. При расчете могут возникать ошибки типа деления на ноль или переполнения разрядной сетки машины. Емкостью Сб при расчетах практически пренебрегать нельзя, поэтому предложены различные варианты устранения подобных неточностей и ошибок. Например, модель Гуммеля-Пуна аппроксимирует емкость Сб(Uп) на прямом участке ВАХ выражением:

Cб = Сбо (1 + n  • UП/ΔΨ0)

На прямом участке вольтамперной характеристики важное значение имеет нелинейная диффузионная емкость p-n-перехода, которая определяется эффектом накопления носителей заряда в области базы при прямом смещении. Величина Cд(i) определяется соотношением:

C0 = (I0 + i) • τ/mΨτ

Здесь τ - постоянная времени жизни не основных носителей заряда в области базы р-n-перехода.

Рассмотрим уравнение, описывающее p-n-переход в областях, далеких от пробойных участков. При этом:

Уравнение, описывающее p-n-переход в областях, далеких от пробойных участков

а напряжение на диоде определяется суммой двух составляющих:

u = UП + Urб = UП + i/k1 + k2

Полученная модель достаточно сложна, т.к., прежде всего, нелинейна. На практике достаточно часто используют кусочно-линейную аппроксимацию ВАХ, достаточно точно соответствующую реальной на отдельных участках характеристики. Заменим ВАХ следующей кусочно-ломаной линией (Рис. 4.)

Замена ВАХ реального диода кусочно-ломаной линией

Рис. 4. Замена ВАХ реального диода кусочно-ломаной линией

Параметры аппроксимирующих прямых: Ri, eо, I0, Ry, Uпр, Rпр определяются по аппроксимируемой характеристике. Данной аппроксимации соответствует кусочно-линейная модель полупроводникового диода. Ее можно представить в виде следующей эквивалентной схемы

Кусочно-линейная модель полупроводникового диода

Рис. 5. Кусочно-линейная модель полупроводникового диода

Положение ключа К на указанной модели определяется из следующих условий:

1. положение при i > 0, U > ео.

2. положение при 0U eo.

3. положение при -UnpU 0; i < 0.

4. положение при U < -Unp.

Подобная модель достаточна груба, она используется обычно при начальном приближенном расчете электронной схемы, при самых грубых приближениях ее иногда еще более упрощают и приводят к виду (Рис. 6)

Упрощение ВАХ диода

Рис.6. Упрощение ВАХ диода