МЕТОДИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Просмотров

Free Web Counters

МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЕМКОСТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

1. Определение параметров модели конденсатора

1.1. Включить измеритель добротности ВМ 560.

1.2. Привести прибор в режим измерения добротности, установить переключатель Q - Q в положение Q.

1.3. Установить переключатель ЧАСТОТА на поддиапазон IV и ручкой ЧАСТОТА установить частоту f = 70 кГц.

1.4. Провести калибровку прибора, для чего: нажать кнопку КАЛИБРОВКА Q ; установить ручкой КАЛИБРОВКА Q стрелку прибора точно на риску под знаком τ; опустить кнопку КАЛИБРОВКА Q.

1.5. Установить переключатель на плате конденсаторов в положение "0" (подключена эталонная индуктивность).

1.6. Изменением ёмкости Q-метра добиться резонанса по максимальному отклонению стрелки. Записать значение С1.

1.7. Подключить исследуемый конденсатор, установив переключатель на плате конденсаторов в соответствующее положение, (по указанию преподавателя).

1.8. Изменением ёмкости Q-метра повторно добиться резонанса (С2).

1.9. По формуле (2.4) методических указаний рассчитать собственные индуктивность Lc и емкость Сс конденсатора.

1.10. Значение сопротивления Rc выбирать из диапазона Rc =5...200 Ом. Значение Rи назначить по паспортному значению сопротивления изоляции конденсатора. (Rи = 10 Мом, Rc = 100 Ом).

2. Определение параметров модели варикапов

2.1. Подключить переключателем S2 цепь с исследуемым варикапом, (по указанию преподавателя): 1-KB 105А; 2-КВ106Б; 3-Д902; 4-КВС111.

2.2. Измерить омметром значение эталонного резистора Rэ (Rэ = 2 МОм).

2.3. Включить питание стенда.

2.4. Получить зависимость емкости варикапа от приложенного напряжения источника питания Cvi = fv (Uli).

2.5. По соответствующей формуле из методических указаний рассчитать параметр модели Rvi.

2.6. Полученные экспериментальные данные оформить в виде таблицы.

№, п/п

U1, B U2, В Сv, пФ Rv, Ом
1        
.        
.        
N        

3. Измерение характеристик схем с использованием варикапов

3.1. Подключить исследуемую схему переключателем S2.

3.2. Для различных значений напряжения источника питания Uпит найти значение резонансной частоты foi контура L Сэ Cv посредством изменения частоты генератора синусоидальных сигналов (ГСС) и фиксирования максимума амплитуды синусоидального напряжения в контуре (рис.2.3). Записать значения foi и напряжения на варикапе Ui.

3.3. Полученные экспериментальные данные представить характеристикой foi = F(Ui).

4. Порядок выполнения работы на ЭВМ

4.1. Перед началом работы на ЭВМ внимательно изучить материалы раздела «Программное обеспечение к лабораторным работам на ЭВМ» методических указаний, относящиеся к данной лабораторной работе (с.21-24, 27-29).

4.2. Подготовить следующие исходные данные:

- значения параметров модели конденсатора Rc, Сс, Lc, Rh;

- ФЧХ конденсатора (примерно fmin = 102 Гц, fmax=109 Гц);

- значения U2i, Cvi, i = 1,М экспериментальной зависимости Cvi = fi(U2i) значения параметров Сэ и L на рис.2.3 (Сэ = 2400 пФ; L = 3,410-4 Гн);

- значения foi, Ui, і = 1,К зависимости foi = F(Ui).

4.3. При невозможности получить распечатку результатов работы программы (например , при отсутствии бумаги), переписывать результаты работы программы в протокол по мере их появления на экране дисплея.