БИБЛИОТЕКА

Просмотров

Website Hit Counters

ПРОВЕРКА ИСПРАВНОСТИ ЭЛЕКТРОРАДИОДЕТАЛЕЙ В ДОМАШНИХ УСЛОВИЯХ

СОДЕРЖАНИЕ

МОНТАЖНЫЕ ИСПЫТАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Любой из омметров, используемых радиолюбителями, можно представить в виде источника э. д. с. Е с внутренним сопротивлением RВН (рис.1).

К вопросу о токе через эмиттерный переход и напряжении на переходе при подключении эмиттера и базы испытываемого транзистора к омметру

Рис. 1. К вопросу о токе через эмиттерный переход и напряжении на переходе при подключении эмиттера и базы испытываемого транзистора к омметру

 

Если присоединить к такому источнику один из р-n-переходов транзистора, например, эмиттерный, то через переход потечет ток I, равный приблизительно E/RВН. Очевидно, при малом значении внутреннего сопротивления омметра ток I может превысить максимальный прямой ток через переход и повредить испытываемый транзистор. Если же присоединить к омметру эмиттерный переход так, как доказано на рис. 1,б, то испытываемый транзистор можно повредить напряжением:

где Rобр. эб — обратное сопротивление перехода эмиттер-база.

Действительно, при Rобр. эб  напряжение U равное приблизительно Е, может превысить максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе. Поэтому прежде чем проверять транзистор омметром, необходимо выяснить, чему равны э. д. д. Е и внутреннее сопротивление RВН омметра, сравнить ток I и напряжение V с предельными для данного типа транзистора значениями прямого тока и обратного напряжения.

Наименьшим и наибольшим значениями внутреннего сопротивления омметр обладает соответственно на шкалах «ΩХ10» и «ΩХ1000». Поэтому наибольший ток протекает через омметр, а следовательно и через измеряемое сопротивление RХ при присоединении последнего к гнездам «Общ» и «ΩХ1», а наибольшее напряжение возникает на сопротивлении RХ при подключении его к гнездам «Общ» и «ΩХ1000».

 

Таким образом, в тех случаях, когда измерение сопротивлений производится на шкалах «ΩХ10» и «ΩХ1000», омметр не угрожает целости р-n-переходов транзисторов.

Приступая к проверке транзисторов, следует иметь в виду, что наиболее часто полупроводниковые триоды выходят из строя из-за пробоя электронно-дырочных переходов. Реже отказы возникают в результате обрывов и коротких замыканий выводов. Кроме них в процессе эксплуатации происходят частичные отказы. Проявляются они в увеличении уровня шумов, возрастании обратного тока, уменьшении коэффициента усиления и других нарушениях.

Наиболее простой и широко распространенный способ проверки исправности полупроводникового триода заключается в измерениях прямых и обратных сопротивлений его эмиттерного и коллекторного переходов. Схемы, поясняющие процесс испытания триодов структур р-п-р и n-р-n, приведены на цветных рис. 2. и рис. 2.

Схемы, поясняющие процесс испытания транзисторов структуры p-n-p

Рис. 2. Схемы, поясняющие процесс испытания транзисторов структуры p-n-p

Схемы, поясняющие процесс испытания транзисторов структуры n-p-n

Рис. 3. Схемы, поясняющие процесс испытания транзисторов структуры n-p-n

Чтобы показать изменения сопротивлений электронно-дырочных переходов в зависимости от полярности приложенного напряжения, условные изображения транзисторов представлены на цветных рис. 2. и рис. 3 в цвете; красный, желтый и синий цвета обозначают соответственно малое, повышенное и большое сопротивления.

Схема соединения транзистора структуры p-n-p с омметром для одновременного измерения сопротивлений обоих электронно дырочных переходов

Рис. 4. Схема соединения транзистора структуры p-n-p с омметром для одновременного измерения сопротивлений обоих электронно дырочных переходов