БИБЛИОТЕКА

Просмотров

Website Hit Counters

ПРОВЕРКА ИСПРАВНОСТИ ЭЛЕКТРОРАДИОДЕТАЛЕЙ В ДОМАШНИХ УСЛОВИЯХ

СОДЕРЖАНИЕ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУРЫ ТРАНЗИСТОРА

 

Транзистор может иметь р-n-р или n-р-n структуру с двумя электронно дырочными переходами, поэтому схематически его можно изобразить в виде комбинации двух соединенных друг с другом полупроводниковых диодов (рис. 1, а и б).

Схематическое изображение транзисторов структур р-n-р тира (а) и n-р-n типа (б)

Рис. 1. Схематическое изображение транзисторов структур р-n-р тира (а) и n-р-n типа (б)

Буквы р и n обозначают типы полупроводников; р (от слова positive — положительный) — полупроводник с избытком дырок и n (от слова negative— отрицательный) — полупроводник с избытком электронов.

Так как каждый из диодов пропускает ток при условии приложения к нему напряжения, обращенного плюсом к аноду и минусом к катоду, то из рис. 1. нетрудно прийти к выводу, что в триодах структуры р-n-р сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов малы, если приложенное к ним напряжение обращено к базе минусом, а в триодах структуры n-p-n, наоборот, сопротивления переходов малы, если приложенное напряжение обращено к базе плюсом.

 

Чтобы определить структуру транзистора с помощью омметра (входящего, например, в состав прибора ТТ-1), необходимо:

1) подготовить ТТ-1 для измерения сопротивлений; при этом штекеры соединительных шнуров должны быть введены в гнезда «Общ» и «Ω Х 10» или «Ω Х 10»;

2) присоединить штекер шнура, введенного в гнездо «Общ» (в тестере типа ТТ-1 гнездо «Общ» является положительным полюсом омметра), к базе испытываемого транзистора, а штеккер второго шнура — к эмиттеру, а затем к коллектору, и зафиксировать показания омметра;

3) поменять местами концы шнуров у ТТ-1 и проделать то, что изложено в п. 2.

 

Если в первом случае, то есть при подаче на переходы напряжения, обращенного плюсом к базе, омметр показывает большие сопротивления, а во втором случае (при подаче на переходы напряжения, обращенного минусом к базе) — малые, то испытываемый транзистор имеет структуру р-n-р если же в первом случае показания уменьшаются почти до нуля, а во втором — резко увеличиваются, то транзистор имеет структуру n-р-n.

В случае использования другого омметра, необходимо до измерения сопротивлений переходов определить полярность напряжения на концах соединительных шнуров омметра.